KRI 離子源應(yīng)用于超高真空磁控濺鍍?cè)O(shè)備 UHV Sputter
上海伯東代理美國(guó) KRI 離子源應(yīng)用于超高真空磁控濺鍍?cè)O(shè)備 UHV Sputter 實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量薄膜!
超高真空環(huán)境的特征為其真空壓力低于 10-8至10-12托, 且在化學(xué), 物理和工程**域十分常見. 超高真空環(huán)境對(duì)于科學(xué)研究非常重要, 因?qū)嶒?yàn)通常要求在整個(gè)實(shí)驗(yàn)的過(guò)程中, 表面應(yīng)保持無(wú)污染狀態(tài)并可使用較低能量的電子和離子的實(shí)驗(yàn)技術(shù)使用, 而不會(huì)受到氣相散射的干擾并可以在這樣超高真空環(huán)境下使用濺鍍系統(tǒng)以提供高質(zhì)量的薄膜.
針對(duì)超高真空和高溫加熱設(shè)計(jì)的基板旋轉(zhuǎn)鍍膜機(jī)構(gòu), 使用陶瓷培林旋轉(zhuǎn), 并在內(nèi)部做水冷, 來(lái)保護(hù)機(jī)構(gòu)以確保長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)轉(zhuǎn)的穩(wěn)定.
通過(guò)使用上海伯東 KRI 離子源可實(shí)現(xiàn)基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度, 并且離子源在材料沉積過(guò)程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.
濺鍍腔中在載臺(tái)部分可**立施打偏壓, 對(duì)其基板進(jìn)行清潔與增加材料的附著性等功能.
上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 參數(shù):
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型號(hào)
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RFICP 40
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RFICP 100
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RFICP 140
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RFICP 220
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RFICP 380
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Discharge 陽(yáng)極
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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離子束流
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>100 mA
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>350 mA
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>600 mA
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>800 mA
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>1500 mA
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離子動(dòng)能
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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柵極直徑
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4 cm Φ
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10 cm Φ
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14 cm Φ
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20 cm Φ
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30 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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3-10 sccm
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5-30 sccm
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5-30 sccm
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10-40 sccm
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15-50 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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長(zhǎng)度
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12.7 cm
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23.5 cm
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24.6 cm
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30 cm
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39 cm
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直徑
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13.5 cm
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19.1 cm
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24.6 cm
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41 cm
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59 cm
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中和器
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LFN 2000
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上海伯東美國(guó) KRI 提供霍爾離子源, 考夫曼離子源和射頻離子源, 歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.
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